Post-doctorant en Optimisation de la technologie Ga2O3 pour la réalisation de composantes puissantes et

Détail de l'offre

Informations générales

Organisme de rattachement

CNRS  

Référence

UMR5005-THIMOR-005  

Date de début de diffusion

28/08/2026

Date de parution

09/09/2026

Date de fin de diffusion

24/09/2026

Intitulé long de l'offre

Post-doctorant en Optimisation de la technologie Ga2O3 pour la réalisation de composantes puissantes et caractérisation électrique de composants en GaN et Ga2O3 (H/F)

Date limite de candidature

24/09/2026

Nature du contrat

CDD d'1 an

Description du poste

Versant

Fonction Publique de l'Etat

Catégorie

Catégorie A (cadre)

Nature de l'emploi

Emploi ouvert uniquement aux contractuels

Domaine / Métier

Recherche - Chercheuse / Chercheur

Statut du poste

Vacant

Intitulé du poste

Post-doctorant en Optimisation de la technologie Ga2O3 pour la réalisation de composantes puissantes et

Descriptif de l'employeur

Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l’Enseignement supérieure et de la Recherche. Créé en 1939 et dirigé par des scientifiques, il a pour mission de faire progresser la connaissance et être utile à la société dans le respect des règles d’éthique, de déontologie et d’intégrité scientifique.

Description du poste

Missions :
- Recherche bibliographie sur les composants GaN à conduction latérale.
- Recherche bibliographie sur la technologie des composants Ga203.
- Réalisation d'une diode.
- Caractérisation électrique, DLTS, RAMAN, OBIC.
- Optimisation de la simulation à base d'éléments finis de la diode.
Activités :
L’objectif du poste est de pouvoir avoir un premier composant de puissance en Ga203 à base d’une hétérojonction permettant à la fois de le caractériser électriquement, physiquement et optiquement afin de pouvoir trouver les paramètres optimaux pour la simulation à base d'éléments finis de composants Ga203 et d'identifier, quantifier les défauts dans le matériau.
Contributions originales attendues : Fabrication diode Schottky pour mesures OBIC (Optical Beam Induced current).
En parallèle de cela, le candidat devra être formé pour la caractérisation électrique des composants en GaN.
Contexte de travail :
Le Ga203 est un semi-conducteur ultra grand gap. Il a les propriétés
physiques qui permettent de fabriquer des composants haute tension et fort courant pour des domaines tels que le smart grid. L'INL travaille depuis quelques années sur la caractérisation physique de ce matériau.
Aujourd'hui, la qualité de ce matériau nous permet d'entrevoir la fabrication de composants de puissance.
Mixer les compétences acquises sur Ga203 à l'INL, la salle blanche de l'INL et les compétences sur les composants de puissance à AMPERE permet de proposer ce sujet de thèse original en France. En Europe, aux Etats-unis, au Japon, des projets de recherche existent sur la réalisation de composants de puissance.
Le GaN est un semi-conducteur grand gap. La technologie est plus mâture que celle du Ga2O3. Aujourd’hui des composants de type transistors existent sur le marché. Tous les développements ont lieu pour des composants à conduction latérale. Le projet PEPR VERTIGO quant à lui propose une alternative de composants en GaN mais à conduction verticale.

En rejoignant le laboratoire AMPERE, vous intégrerez une unité de recherche implantée sur quatre sites et reconnue pour son expertise en ingénierie et en technologies. Ses travaux portent notamment sur la gestion et l'utilisation raisonnée de l'énergie au sein de systèmes en interaction avec leur environnement.
Le laboratoire se distingue en particulier par son expertise dans le domaine des biopiles microbiennes appliquées au traitement des effluents et à la production d'énergie. Cette excellence repose sur une forte interdisciplinarité, associant des compétences en bio-ingénierie, électrochimie, microbiologie et génie électrique.
Le laboratoire AMPERE rassemble près de 210 membres, chercheurs, enseignants-chercheurs, ingénieurs, techniciens et doctorants, mobilisés autour de projets de recherche ambitieux et d'innovations de pointe.

Conditions particulières d'exercice

Le Centre national de la recherche scientifique est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 34 000 femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l’international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l’innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche.

Descriptif du profil recherché

Competences :
Maitriser en salle blanche les étapes de Photolithographie, Dépôt de couches minces métalliques, Caractérisation électriques à l’aide d’une SMU et/ou d’un curve tracer de type Keithley 4200 et/ou Keysight B1505, Programmation Python.
Contraintes et risques :
Risques électriques et Chimiques.

Temps plein

Oui

Rémunération contractuels (en € brut/an)

A partir de 3.071 € brut mensuel selon expérience

Pays

Localisation du poste

Europe, France, Auvergne-Rhône-Alpes, Rhône (69)

Géolocalisation du poste

VILLEURBANNE

Lieu d'affectation (sans géolocalisation)

69621 VILLEURBANNE (France)

Critères candidat

Niveau d'études / Diplôme

Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents

Spécialisation

Formations générales

Langues

Français (Seuil)