Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l’Enseignement supérieure et de la Recherche. Créé en 1939 et dirigé par des scientifiques, il a pour mission de faire progresser la connaissance et être utile à la société dans le respect des règles d’éthique, de déontologie et d’intégrité scientifique.

Missions :
L’objectif du poste d'assistant ingénieur est d’étudier de nouvelles structures de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base d’AlₓGa₁₋ₓN et de transistors à effet de champ en diamant, afin de comprendre leurs propriétés de transport électronique et les mécanismes de claquage. Pour atteindre ces objectifs, une étude des défauts électriquement actifs dans les couches actives des transistors ou dans le substrat sera menée à l’aide de techniques de courant induit par faisceau d’électrons (EBIC) et de temps de vol (ToF-EBIC) dans un microscope électronique à balayage. Les résultats expérimentaux permettront de mieux comprendre les mécanismes de transport impliqués dans les différents composants, en les comparant avec des mesures I-V, C-V et d’effet Hall.


Activités :
- Utilisation autonome d'un microscope électronique à balayage,
- Réalisation autonome de mesures EBIC et ToF_EBIC,
- Analyse et modélisation des résultats,


Contexte de travail :
L'institut Néel est une unité propre de recherche fondamentale (UPR 2940) en physique de la matière condensée. Dans ce laboratoire grenoblois du CNRS, l'agent est affecté au pôle Optiques et microscopies sous la responsabilité d’un ingénieur de recherche du pôle, il travaillera principalement avec cet ingénieur et un enseignant chercheur de l’équipe Semiconducteur à grand gap qui pilote pour Néel le projet ANR auquel est rattaché ce poste.

Contexte scientifique :
L’électronique de puissance joue un rôle clé dans le cycle de production-stockage-distribution de l’énergie électrique, en particulier dans les technologies d’énergies renouvelables. La majorité de l’énergie électrique produite est consommée après avoir subi plusieurs transformations, dont une grande partie est réalisée par des convertisseurs électroniques de puissance. Les pertes d’énergie dans ces convertisseurs proviennent principalement de leurs dispositifs semiconducteurs de puissance. Actuellement, ces dispositifs reposent sur la technologie silicium (Si), mature et bien établie. Cependant, le silicium présente des limitations importantes en termes de capacité de blocage, de température de fonctionnement et de fréquence de commutation.

Ces limites ont ouvert de nouvelles opportunités d’amélioration de l’efficacité, notamment grâce au développement de semiconducteurs à large bande interdite (WBGS, pour Wide BandGap Semiconductors), tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN). Ces matériaux offrent des propriétés physiques supérieures à celles du silicium. Leurs champs électriques critiques élevés (≥ 2 MV/cm) permettent d’atteindre des tensions de blocage avec des couches épitaxiales plus fines, réduisant ainsi la résistance à l’état passant de deux ordres de grandeur dans la plupart des architectures de dispositifs. Les dispositifs à base de WBGS permettent de réduire les pertes par conduction et de fonctionner à des fréquences plus élevées,
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Le Centre national de la recherche scientifique est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 34 000 femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l’international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l’innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche.

Competences :
Le candidat idéal doit posséder des connaissances approfondies en physique de l’état solide et en composants électroniques à base de semiconducteurs à large bande interdite. Une expérience en mesure EBIC serait un atout.
- Rigueur et créativité,
- Adaptabilité,
- Autonomie dans les tâches,
- Esprit d'initiative,
- Sociabilité et aptitudes à la communication,
- Esprit d'équipe
- Travail en équipe
- Anglais : niveau B1.
Contraintes et risques :