Post-doctorat H/F- Ingénierie de dimension et de contrainte des inclusions InGaN dans les nanofils de G


Détail de l'offre

Informations générales

Organisme de rattachement

CNRS  

Référence

UMR9001-NOELEB-003  

Date de début de diffusion

01/07/2025

Date de parution

02/07/2025

Date de fin de diffusion

22/07/2025

Description du poste

Versant

Fonction Publique de l'Etat

Catégorie

Catégorie A (cadre)

Nature de l'emploi

Emploi ouvert uniquement aux contractuels

Domaine / Métier

Recherche - Chercheuse / Chercheur

Statut du poste

Vacant

Intitulé du poste

Post-doctorat H/F- Ingénierie de dimension et de contrainte des inclusions InGaN dans les nanofils de G

Descriptif de l'employeur

Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l’Enseignement supérieure et de la Recherche. Créé en 1939 et dirigé par des scientifiques, il a pour mission de faire progresser la connaissance et être utile à la société dans le respect des règles d’éthique, de déontologie et d’intégrité scientifique.

Description du poste

Missions :
Etudier des stratégies d’ingénierie de dimension et de contrainte des inclusions InGaN dans les nanofils de GaN pour les applications photoniques
Activités :
Les hétérostructures III-N sont particulièrement intéressantes pour les applications en communication et photonique. Elles permettent notamment une émission dans les gammes de longueur d’onde du visible. Cependant, l’un des principaux défi du déploiement des technologies à base de d’hétérostructures est lié à l'efficacité de l'émission à température ambiante.
Une approche intéressante consiste en l’intégration d’insertion épitaxiées d’InGaN dans le volume de nanofils de GaN. De par leur grand rapport d’aspect, les nanofils agissent comme un guide d’onde, ce qui tend à améliorer l'efficacité de la collecte des photons.
Les travaux de recherche visent à étudier les propriétés d’émission des insertion d’InGaN dans des nanofils de GaN, pour des applications photoniques. Les efforts se concentreront sur la croissance épitaxiale des nanofils intégrant les insertions d’InGaN, le développement de procédés post-croissance pour ajuster la longueur d’onde d’émission, et les caractérisations de base structurales et photoniques.
L’influence de divers paramètres expérimentaux (taille des inclusions d’InGaN, contrainte interne) sur les caractéristiques photoniques des systèmes seront étudiés.

Contexte de travail :
Les travaux seront réalisés au Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies localisé sur le plateau de Saclay. Le candidat H/F sera intégré au Département Matériaux et travaillera en étroite collaboration avec des équipes du Département Photonique.
Le C2N est équipé d’une grande salle blanche de micro-nano-fabrication et de deux plateformes dédiées à la croissance par épitaxie et la caractérisation des matériaux.
Le C2N possède une longue expertise dans la croissance des nanofils III-N par épitaxie par jets moléculaires et leur caractérisation, ainsi que dans la nano-fabrication et les tests de dispositifs à base de nanofils.

Conditions particulières d'exercice

Le Centre national de la recherche scientifique est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 34 000 femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l’international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l’innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche.

Descriptif du profil recherché

Competences :
- Expérience en épitaxie des matériaux semi-conducteurs, idéalement les matériaux Nitrures.
- Expérience en caractérisations structurales et photoniques des matériaux semi-conducteurs.
- Expérience en micro-fabrication en salle blanche
- Bonne communication en anglais
- Expérience dans la rédaction de documents scientifiques (publications, rapports)

Contraintes et risques :

Temps plein

Oui

Rémunération contractuels (en € brut/an)

3081,33 - 3519,85 euros, salaire brut mensuel selon expérience

Pays

Localisation du poste

Europe, France, Île-de-France, Essonne (91)

Géolocalisation du poste

PALAISEAU

Lieu d'affectation (sans géolocalisation)

91120 PALAISEAU (France)

Critères candidat

Niveau d'études / Diplôme

Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents

Spécialisation

Formations générales

Langues

Français (Seuil)