INGENIEUR D’ETUDES (H/F) : Fabrication et caractérisation de transistors HEMT-GaN pour des applications


Détail de l'offre

Informations générales

Organisme de rattachement

CNRS  

Référence

UMR8520-NICDEF0-002  

Date de début de diffusion

23/09/2026

Date de parution

11/10/2026

Date de fin de diffusion

14/10/2026

Intitulé long de l'offre

INGENIEUR D’ETUDES (H/F) : Fabrication et caractérisation de transistors HEMT-GaN pour des applications en bande W

Date limite de candidature

14/10/2026

Nature du contrat

CDD d'1 an

Description du poste

Versant

Fonction Publique de l'Etat

Catégorie

Catégorie A (cadre)

Nature de l'emploi

Emploi ouvert uniquement aux contractuels

Domaine / Métier

Recherche - Experte / Expert Electronicien, Electrotechnicien, contrôle-commande

Statut du poste

Vacant

Intitulé du poste

INGENIEUR D’ETUDES (H/F) : Fabrication et caractérisation de transistors HEMT-GaN pour des applications

Descriptif de l'employeur

Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l’Enseignement supérieure et de la Recherche. Créé en 1939 et dirigé par des scientifiques, il a pour mission de faire progresser la connaissance et être utile à la société dans le respect des règles d’éthique, de déontologie et d’intégrité scientifique.

Description du poste

Missions :
Fabriquer des transistors HEMTs-GaN pouvant fonctionner jusqu'en bande W.
Caractériser électriquement et physiquement les composants réalisés
Activités :
Activités technologiques en salle blanche
Contacts ohmiques alliés : Réalisation et optimisation des métallisations (ex. empilements à base de Ti/Al/Ni/Au) et des étapes de recuit thermique rapide (Rapid Thermal Annealing - RTA) pour obtenir de faibles résistances de contact sur les hétérostructures GaN.
Technologies de grille (Schottky ou MIS) : Gravure et définition des grilles submicroniques, avec maîtrise des technologies de grille Schottky classique ou de grille MIS afin d'améliorer le contrôle électrostatique et de minimiser les courants de fuite de grille.
Caractérisation hyperfréquence et mesures avancées (jusqu'à 110 GHz)
Mesures sous pointes RF en bande W : Utilisation d'un banc de caractérisation haute fréquence (Analyseur de Réseaux Vectoriel - VNA, pointes RF étalonnées) pour couvrir la gamme de fréquences allant jusqu'à 110 GHz.
Techniques de De-embedding : Application de méthodes ad-hoc (structures étalons Open et Short) pour s’affranchir les effets des pads d'accès.
Extraction du schéma équivalent : Analyse des paramètres S mesurés pour l'extraction complète du schéma équivalent petits signaux du composant (éléments parasites et intrinsèques), permettant d'évaluer finement les figures de mérite (fréquences de coupure fT et fmax) requises pour les applications en bande W.

Contexte de travail :
La mission s'effectuera au LCI, IEMN au sein du groupe Puissance. Les accès en salle blanche et centrale de caractérisation seront demandés.

Conditions particulières d'exercice

Le Centre national de la recherche scientifique est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 34 000 femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l’international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l’innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche.

Descriptif du profil recherché

Competences :
Le/la candidat(e) idéal(e) maîtrise l'ensemble des étapes technologiques de réalisation des composants et sait opérer avec expertise les équipements de salle blanche. Il/elle aura également la responsabilité de piloter en autonomie des campagnes de caractérisation, indispensables tant pour valider chaque étape du process de fabrication que pour analyser et optimiser les performances hyperfréquences des dispositifs développés.
Contraintes et risques :
Le poste ne présente pas de contraintes ou risques particuliers autre que ceux potentiellement rencontrés dans une salle blanche (formation sécurité obligatoire avant d'accéder aux salles dédiées)

Temps plein

Oui

Rémunération contractuels (en € brut/an)

2521,95

Pays

Localisation du poste

Europe, France, Hauts de France, Nord (59)

Géolocalisation du poste

VILLENEUVE D ASCQ

Lieu d'affectation (sans géolocalisation)

59652 VILLENEUVE D ASCQ (France)

Critères candidat

Niveau d'études / Diplôme

Niveau 6 Licence/diplômes équivalents

Spécialisation

Spécialités pluriscientifiques

Langues

Français (Seuil)