Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l’Enseignement supérieure et de la Recherche. Créé en 1939 et dirigé par des scientifiques, il a pour mission de faire progresser la connaissance et être utile à la société dans le respect des règles d’éthique, de déontologie et d’intégrité scientifique.

Missions :
La mission du candidat IT consistera à fabriquer des dispositifs à semi-conducteur dans la centrale de Micro Nano Fabrication (CMNF) de l'Institut. Il y est question de la fabrication de photo-diode UTC sur substrat InP dans le but de la réalisation de source THz de puissance. Le candidat aura également en charge la caractérisation de ces photo-diodes UTC en DC, RF et photonique.
Activités :
Sur une base existante, l'objectif principal de l'activité consistera à optimiser très finement les étapes technologiques du procédé de fabrication de photo-diode UTC sur InP et de participer en continu à son développement ou à développer de nouveaux procédés. Le travail consistera en une caractérisation exhaustive en hyperfréquence de ces composants.
Contexte de travail :
Les travaux seront menés au sein de l'équipe ANODE (Advanced Nanometric Device) de l'IEMN qui est spécialisé, en autre, sur la réalisation et la caractérisation de composant très haute fréquence. Les applications THz est l'une des spécialités du groupe.
L'activité sera essentiellement centrée sur un travail en salle blanche mais comprendra également des mesures des dispositifs réalisés en centrale de caractérisation de l'IEMN..
Il aura une formation spécifique à la sécurité relative en salle blanche et sera initié aux techniques particulières d'ordre technologique pour utiliser les différentes ressources disponibles.
L'IEMN est une Unité Mixte de Recherche associant le CNRS, l'Université de Lille, l'Université Polytechnique Hauts-de-France, Centrale Lille et l'ISEN JUNIA. Ses équipements de conception, fabrication et caractérisation de dispositifs se situent au meilleur niveau européen. L'institut regroupe environ 230 permanents (professeurs, chercheurs, ingénieurs et personnels administratifs) et environ 150 doctorants. Les recherches menées à l'IEMN couvrent un vaste domaine allant de la physique des matériaux et des nanostructures aux systèmes de télécommunications et à l'instrumentation acoustique et micro-ondes.

Le Centre national de la recherche scientifique est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 34 000 femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l’international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l’innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche.

Competences :
Le candidat doit être titulaire d'un bac+5 avec un savoir au niveau des composants nanométriques destinés aux applications hyperfréquence et THz. Un savoir-faire en rapport à la fabrication de composant sur substrat InP serait appréciable.
Il doit avoir une bonne expérience de la technologie des composants en salle blanche et avoir mené à bien les différentes étapes technologiques inhérentes à la fabrication de dispositifs à semi-conducteur.
Les compétences attendues sont :
- Connaissance de la physique des semi-conducteurs et de leurs applications
- Connaissance de base en caractérisation en salle blanche
- Connaissance des techniques de fabrication en salle blanche
- Lithographie optique et électronique
- Gravure humide
- Gravure sèche RIE, ICP,…
- Traitement de surface
- Dépôt de métaux et diélectrique...

Des compétences dans le domaines de la caractérisation hyperfréquence sont demandées :
- Caractérisation des composants hyper fréquence III-V
- Caractérisation DC et hyper fréquence de 0.5 à 750 GHz


Contraintes et risques :
Salle Blanche.