Informations générales
Organisme de rattachement
CNRS
Référence
UMR7073-MICPEF-087
Date de début de diffusion
13/06/2025
Date de parution
03/07/2025
Date de fin de diffusion
04/07/2025
Description du poste
Versant
Fonction Publique de l'Etat
Catégorie
Catégorie A (cadre)
Nature de l'emploi
Emploi ouvert uniquement aux contractuels
Domaine / Métier
Recherche - Chercheuse / Chercheur
Statut du poste
Vacant
Intitulé du poste
CDD Chercheur H/F
Descriptif de l'employeur
Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l’Enseignement supérieure et de la Recherche. Créé en 1939 et dirigé par des scientifiques, il a pour mission de faire progresser la connaissance et être utile à la société dans le respect des règles d’éthique, de déontologie et d’intégrité scientifique.
Description du poste
Missions :
L’agent aura pour mission de mener les travaux de recherche sur le réacteur d’épitaxie Aniset du CRHEA, ainsi que les caractérisations associées (DRX, AFM, microscopie optique et électronique, caractérisation électrique).
L’objectif du projet est d’évaluer le potentiel des films minces de NbN obtenus par épitaxie sur substrat silicium pour la réalisation de circuits quantiques supraconducteurs. Les épitaxies seront réalisées au CRHEA sur un réacteur MBE utilisant l’ammoniac comme source d’azote. Le Niobium est évaporé à partir d’une cellule à canon à électrons. Des substrats de silicium Si(111) 2-3’’ hautement résistifs seront utilisés.
Le projet consistera à fabriquer et caractériser des résonateurs supraconducteurs à partir d’hétérostructures Si/AlN/NbN. On mesurera les pertes, les facteurs de qualité, les résistivités et les inductances cinétiques. On étudiera l’influence de l’épaisseur de la couche de NbN sur ces différentes grandeurs. Il sera particulièrement intéressant d’étudier comment évolue les pertes du résonateur en fonction de la résistivité et donc de l’inductance cinétique. En effet, en utilisant des matériaux épitaxiés de grande qualité structurale, on espère pouvoir augmenter l’inductance cinétique (via la diminution de l’épaisseur de NbN) sans pour autant dégrader significativement le facteur de qualité du résonateur. On étudiera aussi l’effet de l’oxydation de surface de la couche de NbN supraconductrice en implémentant une couche de passivation de surface (silicium amorphe ou AlN épitaxié). L’influence de la stœchiométrie du NbN cubique sera aussi étudiée. La fabrication et la caractérisation des résonateurs supraconducteurs seront réalisées à l’ENS sur des ressources propres. A noter qu’on pourra aussi étudier l’influence du substrat et de la couche buffer AlN en travaillant sur des couches de NbN épitaxiées sur substrat saphir sachant que le saphir est le substrat usuellement utilisé par l’équipe de B. Huard. Le matériau sera caractérisé au CRHEA par microscopie à force atomique et diffraction des rayons X.
Le projet s’intéressera aussi en parallèle à l’hétérostructure NbN/AlN/NbN pour la réalisation d’une Jonction Josephson. Pour cette structure l’ambition est de caractériser finement par microscopie électronique en transmission au CRHEA les interfaces ainsi que la qualité structurales et chimiques des 3 couches. On étudiera l’influence des épaisseurs de la barrière tunnel AlN et des deux électrodes NbN sur la qualité de l’hétérostructure. Le matériau épitaxié permettra de développer au CRHEA un savoir-faire sur les différentes étapes de fabrication de la Jonction Josephson. Ce travail nous permettra d’identifier en amont les potentielles difficultés liées au procédé de fabrication sur cet empilement. Nous étudierons spécifiquement la sélectivité de gravure entre le NbN et l’AlN qui sera évidemment une étape clé dans la fabrication de la Jonction Josephson.
Act
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Conditions particulières d'exercice
Le Centre national de la recherche scientifique est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 34 000 femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l’international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l’innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche.
Descriptif du profil recherché
Competences :
Savoirs / connaissances : Connaissances en physique des semiconducteurs, physique des matériaux ; connaissance dans le domaine de l’ultravide et de la caractérisation des matériaux ; niveau d’anglais suffisant pour interagir avec des collègues non francophones.
Contraintes et risques :
Temps plein
Oui
Rémunération contractuels (en € brut/an)
3021,50€ bruts mensuels pour expérience inférieure à 2 ans
Pays
Localisation du poste
Europe, France, Provence-Alpes-Côte-D'Azur, Alpes Maritimes (06)
Géolocalisation du poste
VALBONNE
Lieu d'affectation (sans géolocalisation)
06560 VALBONNE (France)
Critères candidat
Niveau d'études / Diplôme
Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents
Spécialisation
Formations générales
Langues
Français (Seuil)